DMN60H080DS-13
IC
SOT-23
可供量大可议
DMN60H080DS-13
场效应管(MOSFET) 1.1W 600V 80mA 1个N沟道
品牌
DIODES
封装
SOT-23
库存
13,393
货期
现货
DMN60H080DS-13参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| 批次 | 23+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 67Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 25pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 13,393 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 600V |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF |
DMN60H080DS-13概述
场效应管(MOSFET) 1.1W 600V 80mA 1个N沟道
DMN60H080DS-13特性
暂无产品特性。
DMN60H080DS-13应用领域
暂无应用领域。