DMN6075SQ
IC
SOT-23
可供量大可议
DMN6075SQ
DMN6075SQ采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷， 且能在低至4.5 V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
品牌
Leiditech
封装
SOT-23
库存
35
货期
现货
DMN6075SQ参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | Leiditech(雷卯电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 35 |
DMN6075SQ概述
DMN6075SQ采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷， 且能在低至4.5 V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
DMN6075SQ特性
暂无产品特性。
DMN6075SQ应用领域
暂无应用领域。