DMN6075S-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
DMN6075S-HXY
这款N型场效应管具有出色的性能参数:最大电流承载能力高达3A, 耐压能力可达60V, 内阻典型值为72mR, 栅源极电压VGS为20V。 适用于高精度电源管理以及各种需要高效能转换的应用场景, 如通信设备和自动化控制系统。 其低内阻特性确保了高效率和稳定的工作性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
1,890
货期
现货
DMN6075S-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1890 |
DMN6075S-HXY概述
这款N型场效应管具有出色的性能参数:最大电流承载能力高达3A, 耐压能力可达60V, 内阻典型值为72mR, 栅源极电压VGS为20V。 适用于高精度电源管理以及各种需要高效能转换的应用场景, 如通信设备和自动化控制系统。 其低内阻特性确保了高效率和稳定的工作性能。
DMN6075S-HXY特性
暂无产品特性。
DMN6075S-HXY应用领域
暂无应用领域。
