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DMN6075S-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

DMN6075S-HXY

这款N型场效应管具有出色的性能参数:最大电流承载能力高达3A, 耐压能力可达60V, 内阻典型值为72mR, 栅源极电压VGS为20V。 适用于高精度电源管理以及各种需要高效能转换的应用场景, 如通信设备和自动化控制系统。 其低内阻特性确保了高效率和稳定的工作性能。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

1,890

货期

现货

DMN6075S-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类场效应管(MOSFET)
库存1890

DMN6075S-HXY概述

这款N型场效应管具有出色的性能参数:最大电流承载能力高达3A, 耐压能力可达60V, 内阻典型值为72mR, 栅源极电压VGS为20V。 适用于高精度电源管理以及各种需要高效能转换的应用场景, 如通信设备和自动化控制系统。 其低内阻特性确保了高效率和稳定的工作性能。

DMN6075S-HXY特性

暂无产品特性。

DMN6075S-HXY应用领域

暂无应用领域。

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