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DMN6070SSD-HXY
IC

SOP-8

可供量大可议

DMN6070SSD-HXY

这款N+N型场效应管, 具备6.5A的电流承载能力, 能在60V电压下稳定工作。 其内阻典型值为32mΩ, 确保了较低的功耗。 VGS为20V, 使得该器件在适当的栅源电压下能保持良好的开关性能。 适用于多种高性能电子设备, 为您的设计提供可靠且高效的电子解决方案。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOP-8

库存

10

货期

现货

DMN6070SSD-HXY参数

封装SOP-8
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存10

DMN6070SSD-HXY概述

这款N+N型场效应管, 具备6.5A的电流承载能力, 能在60V电压下稳定工作。 其内阻典型值为32mΩ, 确保了较低的功耗。 VGS为20V, 使得该器件在适当的栅源电压下能保持良好的开关性能。 适用于多种高性能电子设备, 为您的设计提供可靠且高效的电子解决方案。

DMN6070SSD-HXY特性

暂无产品特性。

DMN6070SSD-HXY应用领域

暂无应用领域。

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