DMN6070SSD-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
DMN6070SSD-HXY
这款N+N型场效应管, 具备6.5A的电流承载能力, 能在60V电压下稳定工作。 其内阻典型值为32mΩ, 确保了较低的功耗。 VGS为20V, 使得该器件在适当的栅源电压下能保持良好的开关性能。 适用于多种高性能电子设备, 为您的设计提供可靠且高效的电子解决方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
10
货期
现货
DMN6070SSD-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
DMN6070SSD-HXY概述
这款N+N型场效应管, 具备6.5A的电流承载能力, 能在60V电压下稳定工作。 其内阻典型值为32mΩ, 确保了较低的功耗。 VGS为20V, 使得该器件在适当的栅源电压下能保持良好的开关性能。 适用于多种高性能电子设备, 为您的设计提供可靠且高效的电子解决方案。
DMN6070SSD-HXY特性
暂无产品特性。
DMN6070SSD-HXY应用领域
暂无应用领域。
