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DMN6068SEQ-13
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IC

SOT-223

DMN6068SEQ-13

场效应管(MOSFET) 2W 60V 4.1A 1个N沟道

品牌

DIODES

封装

SOT-223

交期

现货

批次

26+

DMN6068SEQ-13参数

封装SOT-223
品牌DIODES(美台)
批次26+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))68mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))3V
输入电容(Ciss)502pF
工作温度-55℃~+150℃
分类场效应管(MOSFET)
库存11,841
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)16W
栅极电荷量(Qg)5.55nC@4.5V
反向传输电容(Crss)27.1pF

DMN6068SEQ-13概述

场效应管(MOSFET) 2W 60V 4.1A 1个N沟道

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