DMN5L06DMK-7
IC
SOT-26
可供量大可议
DMN5L06DMK-7
特性：双N沟道MOSFET。 低导通电阻。 极低的栅极阈值电压（最大1.0V）。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 小表面贴装封装。 设计无铅/RoHS合规。 ESD保护高达2kV。 “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准， 可靠性高
品牌
DIODES
封装
SOT-26
库存
3,001
货期
现货
DMN5L06DMK-7参数
| 封装 | SOT-26 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3001 |
DMN5L06DMK-7概述
特性：双N沟道MOSFET。 低导通电阻。 极低的栅极阈值电压（最大1.0V）。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 小表面贴装封装。 设计无铅/RoHS合规。 ESD保护高达2kV。 “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准， 可靠性高
DMN5L06DMK-7特性
暂无产品特性。
DMN5L06DMK-7应用领域
暂无应用领域。