DMN53D0LQ-13
IC
SOT-23-3
可供量大可议
DMN53D0LQ-13
N沟道增强型场效应晶体管， 低导通电阻、低栅极阈值电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏、ESD保护、无铅且符合RoHS标准， 适用于汽车应用
品牌
DIODES
封装
SOT-23-3
库存
10,075
货期
现货
DMN53D0LQ-13参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10075 |
DMN53D0LQ-13概述
N沟道增强型场效应晶体管， 低导通电阻、低栅极阈值电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏、ESD保护、无铅且符合RoHS标准， 适用于汽车应用
DMN53D0LQ-13特性
暂无产品特性。
DMN53D0LQ-13应用领域
暂无应用领域。