DMN4035L-7-VB
IC
SOT-23-3
可供量大可议
DMN4035L-7-VB
台积电流片， 长电科技封装； SOT23； N—Channel沟道, 40V； 4.8A； RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~2.5V； 这是一款采用Trench工艺， 具有低功率、低导通电阻和稳定的工作特性， 能够满足小型电子设备和低功率应用的要求， 适用于低功率电路控制和传感器接口的MOSFET产品。
品牌
VBsemi
封装
SOT-23-3
库存
5
货期
现货
DMN4035L-7-VB参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
DMN4035L-7-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； SOT23； N—Channel沟道, 40V； 4.8A； RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~2.5V； 这是一款采用Trench工艺， 具有低功率、低导通电阻和稳定的工作特性， 能够满足小型电子设备和低功率应用的要求， 适用于低功率电路控制和传感器接口的MOSFET产品。
DMN4035L-7-VB特性
暂无产品特性。
DMN4035L-7-VB应用领域
暂无应用领域。