DMN39M1LFVWQ-7-HXY

该N沟道MOSFET具有70A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至3.5毫欧。 其低RDS(ON)特性有效降低导通损耗， 在高电流工作状态下保持较低功耗与温升。 适用于对能效和热管理要求较高的开关电源、电池供电设备及高频功率转换电路， 能够可靠支持大电流负载下的持续运行。