DMN39M1LFVWQ-13-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
DMN39M1LFVWQ-13-HXY
该N沟道MOSFET具备70A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至3.5毫欧。 其极低的RDS(ON)有效降低了导通损耗， 在高电流工作条件下仍能保持良好的热性能。 适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换、电池管理系统及大电流开关等应用场景， 能够在频繁或持续高负载运行中提供稳定可靠的开关特性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
98
货期
现货
DMN39M1LFVWQ-13-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
DMN39M1LFVWQ-13-HXY概述
该N沟道MOSFET具备70A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至3.5毫欧。 其极低的RDS(ON)有效降低了导通损耗， 在高电流工作条件下仍能保持良好的热性能。 适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换、电池管理系统及大电流开关等应用场景， 能够在频繁或持续高负载运行中提供稳定可靠的开关特性。
DMN39M1LFVWQ-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMN39M1LFVWQ-13-HXY应用领域
暂无应用领域。