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DMN3404LQ-7
IC

SOT-23

可供量大可议

DMN3404LQ-7

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(on)), 同时保持卓越的开关性能, 非常适合高效电源管理应用。

品牌

DIODES

封装

SOT-23

库存

3,000

货期

现货

DMN3404LQ-7参数

封装SOT-23
品牌DIODES(美台)
MOQ / SPQ1 / 5
漏源电压(Vdss)30V
耗散功率(Pd)1.4W
栅极电荷量(Qg)11.3nC
反向传输电容(Crss)45pF
类型N沟道
栅极电压(Vgs)±20V
商品型号DMN3404LQ-7
单位个
商品重量2.1e-05
分类场效应管(MOSFET)
库存3000
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))28mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))2V
输入电容(Ciss)498pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)52pF
商品名称1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)

DMN3404LQ-7概述

这款MOSFET旨在将导通电阻 RDS(ON) 降至最低, 同时保持卓越的开关性能, 非常适合高效电源管理应用。

DMN3404LQ-7特性

  • 低导通电阻
  • 低输入电容
  • 快速开关速度
  • 低输入/输出泄漏电流
  • 完全无铅且完全符合RoHS标准
  • 无卤素和锑, “绿色”器件
  • 适用于需要特定变更控制的汽车应用
  • 该产品符合AEC-Q101标准, 具备生产件批准程序(PPAP)能力, 并在通过IATF 16949认证的工厂制造

DMN3404LQ-7应用领域

  • 电池充电
  • 电源管理功能
  • DC-DC转换器
  • 便携式电源适配器

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