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DMN33D8LTQ-13
IC

SOT-523

可供量大可议

DMN33D8LTQ-13

这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。 它符合AEC - Q101标准, 有生产件批准程序(PPAP)支持, 非常适合用于:无刷直流电机控制

品牌

DIODES

封装

SOT-523

库存

5

货期

现货

DMN33D8LTQ-13参数

封装SOT-523
品牌DIODES(美台)
MOQ / SPQ1 / 5
漏源电压(Vdss)30V
耗散功率(Pd)300mW
栅极电荷量(Qg)1.23nC@10V
反向传输电容(Crss)8pF
类型N沟道
商品名称1个N沟道 耐压:30V 电流:115mA
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)
分类场效应管(MOSFET)
库存5
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))5Ω@4V
阈值电压(Vgs(th))1.5V
输入电容(Ciss)48pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)11pF
商品型号DMN33D8LTQ-13
单位个
商品重量4.9e-05

DMN33D8LTQ-13概述

这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。 它已通过AEC-Q101认证, 有生产件批准程序(PPAP)支持, 非常适合用于以下场景: 无刷直流电机控制 DC-DC转换器 负载开关

DMN33D8LTQ-13特性

  • N沟道MOSFET
  • 低导通电阻
  • 低输入电容
  • 快速开关速度
  • 小型表面贴装封装
  • 2KV静电防护栅极
  • 完全无铅且符合RoHS标准
  • 无卤素和锑, “绿色”器件

DMN33D8LTQ-13应用领域

  • 无刷直流电机控制
  • DC-DC转换器
  • 负载开关

商务邮箱 / Email

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