DMN33D8LDWQ-7
IC
SOT-363
可供量大可议
DMN33D8LDWQ-7
双N沟道增强型MOSFET， 低导通电阻， 低输入电容， 快速开关速度， ESD保护， 无铅且符合RoHS标准， 适用于汽车应用
品牌
DIODES
封装
SOT-363
库存
100
货期
现货
DMN33D8LDWQ-7参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
DMN33D8LDWQ-7概述
双N沟道增强型MOSFET， 低导通电阻， 低输入电容， 快速开关速度， ESD保护， 无铅且符合RoHS标准， 适用于汽车应用
DMN33D8LDWQ-7特性
暂无产品特性。
DMN33D8LDWQ-7应用领域
暂无应用领域。