DMN3200U-7
IC
SOT-23
可供量大可议
DMN3200U-7
特性：低导通电阻：90mΩ @ VGS = 4.5V。 110mΩ @ VGS = 2.5V。 200mΩ @ VGS = 1.5V。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 ESD保护栅极。 快速开关速度。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准， 可靠性高
品牌
DIODES
封装
SOT-23
库存
9,060
货期
现货
DMN3200U-7参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9060 |
DMN3200U-7概述
特性：低导通电阻：90mΩ @ VGS = 4.5V。 110mΩ @ VGS = 2.5V。 200mΩ @ VGS = 1.5V。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 ESD保护栅极。 快速开关速度。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准， 可靠性高
DMN3200U-7特性
暂无产品特性。
DMN3200U-7应用领域
暂无应用领域。