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DMN3070SSN-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

DMN3070SSN-HXY

这款N型场效应管拥有5.8A的电流承载能力, 能在30V电压下稳定工作。 其内阻典型值为22mΩ, 确保了较低的功耗。 VGS为20V, 适用于多种电路设计。 该元器件广泛应用于电源管理、信号放大及开关控制等关键领域, 提供卓越的性能和可靠性。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

150

货期

现货

DMN3070SSN-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类场效应管(MOSFET)
库存150

DMN3070SSN-HXY概述

这款N型场效应管拥有5.8A的电流承载能力, 能在30V电压下稳定工作。 其内阻典型值为22mΩ, 确保了较低的功耗。 VGS为20V, 适用于多种电路设计。 该元器件广泛应用于电源管理、信号放大及开关控制等关键领域, 提供卓越的性能和可靠性。

DMN3070SSN-HXY特性

暂无产品特性。

DMN3070SSN-HXY应用领域

暂无应用领域。

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