DMN3069L-7-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备30V漏源电压（VDSS）和5.8A连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻（RDON）低至22mΩ， 可有效降低导通损耗， 提高系统效率。 器件采用成熟工艺制造， 具有良好的稳定性和耐用性， 适用于各类中低功率电源转换、开关控制、电机驱动及便携式电子设备中的功率管理场景， 满足多样化电路设计需求。