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DMN3061S-7
IC

SOT-23-3

可供量大可议

DMN3061S-7

N沟道增强型MOSFET, 低导通电阻、低输入电容、开关速度快、输入/输出泄漏低, 无铅且符合RoHS标准

品牌

DIODES

封装

SOT-23-3

库存

12

货期

现货

DMN3061S-7参数

封装SOT-23-3
品牌DIODES(美台)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存12

DMN3061S-7概述

N沟道增强型MOSFET, 低导通电阻、低输入电容、开关速度快、输入/输出泄漏低, 无铅且符合RoHS标准

DMN3061S-7特性

暂无产品特性。

DMN3061S-7应用领域

暂无应用领域。

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