DMN3033LSN-7-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备5.8A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为22毫欧。 其电气特性适用于中等功率的开关应用， 在确保可靠运行的同时有效控制导通损耗。 该器件适合用于电源管理模块、便携式设备的电源切换、电池保护电路以及各类消费类电子产品中的高效能开关控制， 能够在有限空间内实现良好的热性能与电气稳定性。