DMN3033LSN-7
IC
SC-59
可供量大可议
DMN3033LSN-7
特性：低栅极电荷。 低RDS(ON): -30mΩ @ VGS = 10V。 -40mΩ @ VGS = 4.5V。 低输入/输出泄漏。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合AEC-Q191标准， 具有高可靠性
品牌
DIODES
封装
SC-59
库存
175
货期
现货
DMN3033LSN-7参数
| 封装 | SC-59 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 175 |
DMN3033LSN-7概述
特性：低栅极电荷。 低RDS(ON): -30mΩ @ VGS = 10V。 -40mΩ @ VGS = 4.5V。 低输入/输出泄漏。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合AEC-Q191标准， 具有高可靠性
DMN3033LSN-7特性
暂无产品特性。
DMN3033LSN-7应用领域
暂无应用领域。