DMN3033LDM-7
IC
SOT-26
可供量大可议
DMN3033LDM-7
特性：低栅极电荷。 低RDS(ON): -33 mΩ @VGS = 10V。 -40 mΩ @VGS = 4.5V。 低输入/输出泄漏。 无铅设计/符合RoHS标准。 符合AEC-Q101标准， 可靠性高。 “绿色”器件
Brand
DIODES
Package
SOT-26
Stock
1
货期
现货
DMN3033LDM-7Parameters
| 封装 | SOT-26 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
DMN3033LDM-7概述
特性：低栅极电荷。 低RDS(ON): -33 mΩ @VGS = 10V。 -40 mΩ @VGS = 4.5V。 低输入/输出泄漏。 无铅设计/符合RoHS标准。 符合AEC-Q101标准， 可靠性高。 “绿色”器件
DMN3033LDM-7特性
暂无产品特性。
DMN3033LDM-7应用领域
暂无应用领域。