DMN3032LQ-7-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备30V的漏源击穿电压（VDSS）， 在栅源电压为12V时， 导通电阻（RDS(ON)）为22毫欧， 最大连续漏极电流（ID）达5.8A。 其低导通电阻特性有助于有效降低导通状态下的功率损耗， 适用于电源管理、负载开关、同步整流及各类对能效和热性能有较高要求的电子电路中。