DMN3032LE-13
IC
SOT-223
可供量大可议
DMN3032LE-13
场效应管(MOSFET) 1.8W 30V 5.6A 1个N沟道
品牌
DIODES
封装
SOT-223
库存
17,184
货期
现货
DMN3032LE-13参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| 批次 | 两年外 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 498pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 17,184 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 14W |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF |
DMN3032LE-13概述
场效应管(MOSFET) 1.8W 30V 5.6A 1个N沟道
DMN3032LE-13特性
暂无产品特性。
DMN3032LE-13应用领域
暂无应用领域。