DMN3025LFG-7-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
DMN3025LFG-7-HXY
这款N沟道场效应管专为高效电源管理设计, 具备30V耐压能力与20A连续电流负载表现。 其导通电阻控制在15mΩ水平, 配合±20V栅极驱动范围, 在低压大电流场景中能有效抑制热损耗。 器件采用增强型结构, 通过栅极电压精准调控导电沟道, 实现纳秒级开关响应。 典型应用涵盖便携式设备快充模块、LED恒流驱动电路及小型储能系统的功率切换单元, 其紧凑的封装形式便于在空间受限的电路板上实现高集成度布局。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
40
货期
现货
DMN3025LFG-7-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
DMN3025LFG-7-HXY概述
这款N沟道场效应管专为高效电源管理设计, 具备30V耐压能力与20A连续电流负载表现。 其导通电阻控制在15mΩ水平, 配合±20V栅极驱动范围, 在低压大电流场景中能有效抑制热损耗。 器件采用增强型结构, 通过栅极电压精准调控导电沟道, 实现纳秒级开关响应。 典型应用涵盖便携式设备快充模块、LED恒流驱动电路及小型储能系统的功率切换单元, 其紧凑的封装形式便于在空间受限的电路板上实现高集成度布局。
DMN3025LFG-7-HXY特性
暂无产品特性。
DMN3025LFG-7-HXY应用领域
暂无应用领域。
