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DMN3025LFG-7-HXY
IC

DFN-8L(3x3)

可供量大可议

DMN3025LFG-7-HXY

这款N沟道场效应管专为高效电源管理设计, 具备30V耐压能力与20A连续电流负载表现。 其导通电阻控制在15mΩ水平, 配合±20V栅极驱动范围, 在低压大电流场景中能有效抑制热损耗。 器件采用增强型结构, 通过栅极电压精准调控导电沟道, 实现纳秒级开关响应。 典型应用涵盖便携式设备快充模块、LED恒流驱动电路及小型储能系统的功率切换单元, 其紧凑的封装形式便于在空间受限的电路板上实现高集成度布局。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(3x3)

库存

40

货期

现货

DMN3025LFG-7-HXY参数

封装DFN-8L(3x3)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存40

DMN3025LFG-7-HXY概述

这款N沟道场效应管专为高效电源管理设计, 具备30V耐压能力与20A连续电流负载表现。 其导通电阻控制在15mΩ水平, 配合±20V栅极驱动范围, 在低压大电流场景中能有效抑制热损耗。 器件采用增强型结构, 通过栅极电压精准调控导电沟道, 实现纳秒级开关响应。 典型应用涵盖便携式设备快充模块、LED恒流驱动电路及小型储能系统的功率切换单元, 其紧凑的封装形式便于在空间受限的电路板上实现高集成度布局。

DMN3025LFG-7-HXY特性

暂无产品特性。

DMN3025LFG-7-HXY应用领域

暂无应用领域。

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