DMN3023L-7-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
DMN3023L-7-HXY
该N沟道MOSFET的漏源电压（VDSS）为30V， 连续漏极电流（ID）达5.8A， 导通电阻（RDS(ON)）为22毫欧。 器件在低电压应用中表现出较低的导通损耗， 适用于对效率和热性能有一定要求的电路。 典型应用场景包括电源开关、电池保护、DC-DC转换器及各类消费电子产品中的功率控制模块， 其电气特性有助于维持系统稳定运行并优化能效表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
85
货期
现货
DMN3023L-7-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 85 |
DMN3023L-7-HXY概述
该N沟道MOSFET的漏源电压（VDSS）为30V， 连续漏极电流（ID）达5.8A， 导通电阻（RDS(ON)）为22毫欧。 器件在低电压应用中表现出较低的导通损耗， 适用于对效率和热性能有一定要求的电路。 典型应用场景包括电源开关、电池保护、DC-DC转换器及各类消费电子产品中的功率控制模块， 其电气特性有助于维持系统稳定运行并优化能效表现。
DMN3023L-7-HXY特性
暂无产品特性。
DMN3023L-7-HXY应用领域
暂无应用领域。