DMN3023L-13-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
DMN3023L-13-HXY
该N沟道MOSFET具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和5.8A的连续漏极电流（ID）， 在导通状态下呈现低至22毫欧的导通电阻（RDS(on)）。 其低导通电阻有助于减少功率损耗， 提升整体能效。 器件适用于对效率和热性能有较高要求的电源管理、负载开关及同步整流等电路拓扑中， 能够在紧凑空间内实现稳定可靠的开关操作。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
180
货期
现货
DMN3023L-13-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 180 |
DMN3023L-13-HXY概述
该N沟道MOSFET具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和5.8A的连续漏极电流（ID）， 在导通状态下呈现低至22毫欧的导通电阻（RDS(on)）。 其低导通电阻有助于减少功率损耗， 提升整体能效。 器件适用于对效率和热性能有较高要求的电源管理、负载开关及同步整流等电路拓扑中， 能够在紧凑空间内实现稳定可靠的开关操作。
DMN3023L-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMN3023L-13-HXY应用领域
暂无应用领域。