DMN3011LFVW-13-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
DMN3011LFVW-13-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至7.5毫欧。 器件适用于对导通损耗和效率要求较高的功率开关场景， 其低RDS(ON)有助于减少发热并提升系统整体能效。 由于具备较高的电流承载能力和较低的导通压降， 该MOSFET可有效支持多种中低压电源管理与负载控制应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
90
货期
现货
DMN3011LFVW-13-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
DMN3011LFVW-13-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至7.5毫欧。 器件适用于对导通损耗和效率要求较高的功率开关场景， 其低RDS(ON)有助于减少发热并提升系统整体能效。 由于具备较高的电流承载能力和较低的导通压降， 该MOSFET可有效支持多种中低压电源管理与负载控制应用。
DMN3011LFVW-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMN3011LFVW-13-HXY应用领域
暂无应用领域。