DMN3010LSS-13
IC
SO-8
可供量大可议
DMN3010LSS-13
特性：低导通电阻: 9mΩ（VGS = 10V）。 13mΩ（VGS = 4.5V）。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准， 可靠性高
品牌
DIODES
封装
SO-8
库存
48
货期
现货
DMN3010LSS-13参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
DMN3010LSS-13概述
特性：低导通电阻: 9mΩ（VGS = 10V）。 13mΩ（VGS = 4.5V）。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准， 可靠性高
DMN3010LSS-13特性
暂无产品特性。
DMN3010LSS-13应用领域
暂无应用领域。