DMN3010LFG-7-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
DMN3010LFG-7-HXY
该N沟道MOSFET具有45A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至6毫欧， 栅源驱动电压最高可达20V。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升系统效率， 适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及开关转换等应用场景。 器件结构优化了开关特性， 在高频操作下仍能保持良好的动态响应与稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
90
货期
现货
DMN3010LFG-7-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
DMN3010LFG-7-HXY概述
该N沟道MOSFET具有45A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至6毫欧， 栅源驱动电压最高可达20V。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升系统效率， 适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及开关转换等应用场景。 器件结构优化了开关特性， 在高频操作下仍能保持良好的动态响应与稳定性。
DMN3010LFG-7-HXY特性
暂无产品特性。
DMN3010LFG-7-HXY应用领域
暂无应用领域。