DMN3010LFG-13-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
DMN3010LFG-13-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有45A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）， 以及20V的最大栅源电压（VGS）。 低导通电阻有助于在高电流应用中减少功率损耗和温升， 提升整体能效。 器件适用于对开关效率和热管理有较高要求的电源系统， 能够在频繁开关操作中保持稳定的电气性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
98
货期
现货
DMN3010LFG-13-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
DMN3010LFG-13-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有45A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）， 以及20V的最大栅源电压（VGS）。 低导通电阻有助于在高电流应用中减少功率损耗和温升， 提升整体能效。 器件适用于对开关效率和热管理有较高要求的电源系统， 能够在频繁开关操作中保持稳定的电气性能。
DMN3010LFG-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMN3010LFG-13-HXY应用领域
暂无应用领域。