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DMN3009SK3-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

DMN3009SK3-HXY

此场效应管为N型, 电流为150A, 可承载较大功率。 电压30V, 能在多种常见电路环境下稳定工作。 内阻典型值2mR, 能量损耗低。 VGS为20V。 在消费电子领域, 可用于特定高功率电子设备的电流调控。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

80

货期

现货

DMN3009SK3-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存80

DMN3009SK3-HXY概述

此场效应管为N型, 电流为150A, 可承载较大功率。 电压30V, 能在多种常见电路环境下稳定工作。 内阻典型值2mR, 能量损耗低。 VGS为20V。 在消费电子领域, 可用于特定高功率电子设备的电流调控。

DMN3009SK3-HXY特性

暂无产品特性。

DMN3009SK3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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