DMN3009SFGQ-7-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
DMN3009SFGQ-7-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及4毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 其低导通电阻有助于显著降低导通损耗， 在高效率电源转换和大电流开关应用中表现优异。 适用于电池供电系统、直流-直流变换器及各类需要高功率密度与良好热稳定性的电子设备， 能够在持续高负载或高频开关条件下维持可靠运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
89
货期
现货
DMN3009SFGQ-7-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 89 |
DMN3009SFGQ-7-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及4毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 其低导通电阻有助于显著降低导通损耗， 在高效率电源转换和大电流开关应用中表现优异。 适用于电池供电系统、直流-直流变换器及各类需要高功率密度与良好热稳定性的电子设备， 能够在持续高负载或高频开关条件下维持可靠运行。
DMN3009SFGQ-7-HXY特性
暂无产品特性。
DMN3009SFGQ-7-HXY应用领域
暂无应用领域。