DMN3009SFG-7-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
DMN3009SFG-7-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及3.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 低导通电阻有助于在大电流工作时有效抑制功率损耗和温升， 提升系统能效。 该器件适用于高效率电源转换、电池管理及大电流开关等应用场合， 能够在紧凑型电路布局中实现稳定可靠的电力控制与传输。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
488
货期
现货
DMN3009SFG-7-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 488 |
DMN3009SFG-7-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及3.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 低导通电阻有助于在大电流工作时有效抑制功率损耗和温升， 提升系统能效。 该器件适用于高效率电源转换、电池管理及大电流开关等应用场合， 能够在紧凑型电路布局中实现稳定可靠的电力控制与传输。
DMN3009SFG-7-HXY特性
暂无产品特性。
DMN3009SFG-7-HXY应用领域
暂无应用领域。