DMN3009SFG-13-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
DMN3009SFG-13-HXY
该N沟道MOSFET具有70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为3.5毫欧。 低导通电阻有助于在高电流工作条件下显著降低功率损耗， 提升系统效率。 其电气特性适用于需要高效能开关操作的场合， 例如电源转换模块、电池管理系统及各类高频率开关电路。 器件在导通与关断状态间的切换响应迅速， 适合对动态性能和热稳定性有明确要求的应用环境。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
92
货期
现货
DMN3009SFG-13-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 92 |
DMN3009SFG-13-HXY概述
该N沟道MOSFET具有70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为3.5毫欧。 低导通电阻有助于在高电流工作条件下显著降低功率损耗， 提升系统效率。 其电气特性适用于需要高效能开关操作的场合， 例如电源转换模块、电池管理系统及各类高频率开关电路。 器件在导通与关断状态间的切换响应迅速， 适合对动态性能和热稳定性有明确要求的应用环境。
DMN3009SFG-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMN3009SFG-13-HXY应用领域
暂无应用领域。