DMN3009LFVQ-7-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
DMN3009LFVQ-7-HXY
该N沟道MOSFET具备70A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至3.5毫欧。 其低RDS(ON)特性有效降低了导通状态下的功率损耗， 有助于提升系统整体效率并减少散热需求。 适用于高电流、高效率要求的电源管理及负载开关应用， 尤其在频繁开关或持续大电流运行的电路中表现稳定， 能够可靠支持多种电子设备中的功率控制功能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
98
货期
现货
DMN3009LFVQ-7-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
DMN3009LFVQ-7-HXY概述
该N沟道MOSFET具备70A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至3.5毫欧。 其低RDS(ON)特性有效降低了导通状态下的功率损耗， 有助于提升系统整体效率并减少散热需求。 适用于高电流、高效率要求的电源管理及负载开关应用， 尤其在频繁开关或持续大电流运行的电路中表现稳定， 能够可靠支持多种电子设备中的功率控制功能。
DMN3009LFVQ-7-HXY特性
暂无产品特性。
DMN3009LFVQ-7-HXY应用领域
暂无应用领域。