DMN3009LFV-13-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
DMN3009LFV-13-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至3.5毫欧。 其极低的导通电阻有效减少了功率损耗与发热， 适用于高效率、大电流的电源开关场合。 在频繁开关或持续高负载运行条件下， 该器件能维持良好的热稳定性和电气性能， 适合用于电池供电系统、电源模块及各类中低压功率控制应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
40
货期
现货
DMN3009LFV-13-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
DMN3009LFV-13-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至3.5毫欧。 其极低的导通电阻有效减少了功率损耗与发热， 适用于高效率、大电流的电源开关场合。 在频繁开关或持续高负载运行条件下， 该器件能维持良好的热稳定性和电气性能， 适合用于电池供电系统、电源模块及各类中低压功率控制应用。
DMN3009LFV-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMN3009LFV-13-HXY应用领域
暂无应用领域。