DMN2710UV-7
IC
SOT-563
可供量大可议
DMN2710UV-7
双N沟道增强型MOSFET， 低导通电阻、低栅极阈值电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏， 采用超小表面贴装封装， 栅极ESD保护
品牌
DIODES
封装
SOT-563
库存
15
货期
现货
DMN2710UV-7参数
| 封装 | SOT-563 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15 |
DMN2710UV-7概述
双N沟道增强型MOSFET， 低导通电阻、低栅极阈值电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏， 采用超小表面贴装封装， 栅极ESD保护
DMN2710UV-7特性
暂无产品特性。
DMN2710UV-7应用领域
暂无应用领域。