DMN26D0UFB4-KUU
IC
DFN1006-3L
可供量大可议
DMN26D0UFB4-KUU
N沟道增强型MOSFET， 采用先进沟槽工艺技术， 低阈值电压、快速开关速度， 无卤无铅且具备ESD保护
品牌
KUU
封装
DFN1006-3L
库存
9,680
货期
现货
DMN26D0UFB4-KUU参数
| 封装 | DFN1006-3L |
|---|---|
| 品牌 | KUU |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9680 |
DMN26D0UFB4-KUU概述
N沟道增强型MOSFET， 采用先进沟槽工艺技术， 低阈值电压、快速开关速度， 无卤无铅且具备ESD保护
DMN26D0UFB4-KUU特性
暂无产品特性。
DMN26D0UFB4-KUU应用领域
暂无应用领域。