DMN26D0UFB4-7-HXY
IC
DFN1006-3L
可供量大可议
DMN26D0UFB4-7-HXY
本产品是一款N型场效应管, 具有0.7A的电流处理能力和20V的耐压范围。 其内阻典型值为220毫欧姆, 适用于低功耗电路设计。 VGS为10V, 确保稳定的开关控制。 适用于多种电子设备, 提升电源效率和系统稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-3L
库存
10,700
货期
现货
DMN26D0UFB4-7-HXY参数
| 封装 | DFN1006-3L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10700 |
DMN26D0UFB4-7-HXY概述
本产品是一款N型场效应管, 具有0.7A的电流处理能力和20V的耐压范围。 其内阻典型值为220毫欧姆, 适用于低功耗电路设计。 VGS为10V, 确保稳定的开关控制。 适用于多种电子设备, 提升电源效率和系统稳定性。
DMN26D0UFB4-7-HXY特性
暂无产品特性。
DMN26D0UFB4-7-HXY应用领域
暂无应用领域。
