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DMN26D0UFB4-7-HXY
IC

DFN1006-3L

可供量大可议

DMN26D0UFB4-7-HXY

本产品是一款N型场效应管, 具有0.7A的电流处理能力和20V的耐压范围。 其内阻典型值为220毫欧姆, 适用于低功耗电路设计。 VGS为10V, 确保稳定的开关控制。 适用于多种电子设备, 提升电源效率和系统稳定性。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-3L

库存

10,700

货期

现货

DMN26D0UFB4-7-HXY参数

封装DFN1006-3L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类场效应管(MOSFET)
库存10700

DMN26D0UFB4-7-HXY概述

本产品是一款N型场效应管, 具有0.7A的电流处理能力和20V的耐压范围。 其内阻典型值为220毫欧姆, 适用于低功耗电路设计。 VGS为10V, 确保稳定的开关控制。 适用于多种电子设备, 提升电源效率和系统稳定性。

DMN26D0UFB4-7-HXY特性

暂无产品特性。

DMN26D0UFB4-7-HXY应用领域

暂无应用领域。

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