DMN2400UFB4-7B
IC
DFN1006-3
可供量大可议
DMN2400UFB4-7B
特性：低导通电阻。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 超小表面贴装封装。 超低封装高度， 最大封装高度 0.4mm。 ESD 保护高达 1.5kV。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准， 具有高可靠性
品牌
DIODES
封装
DFN1006-3
库存
3,140
货期
现货
DMN2400UFB4-7B参数
| 封装 | DFN1006-3 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3140 |
DMN2400UFB4-7B概述
特性：低导通电阻。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 超小表面贴装封装。 超低封装高度， 最大封装高度 0.4mm。 ESD 保护高达 1.5kV。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准， 具有高可靠性
DMN2400UFB4-7B特性
暂无产品特性。
DMN2400UFB4-7B应用领域
暂无应用领域。