DMN2320UFB4-7B-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：最大漏极电流（ID）为0.7A， 漏源击穿电压（VDSS）为20V， 导通电阻（RDON）为220mΩ。 该器件适用于各类中低功率电子设备中的开关与控制电路， 如便携式电子产品、小型电源模块、LED驱动电路以及各类电池供电的智能设备。 其参数设计有助于实现稳定的开关性能与较高的能效表现， 适合对空间和功耗有要求的电路应用。