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DMN22M5UFG-13-VB
IC

DFN3x3-8

可供量大可议

DMN22M5UFG-13-VB

台积电流片, 长电科技封装; DFN8(3X3); N—Channel沟道; 20V; 100A; RDS(ON)=2(mΩ)@VGS=10V; VGS=±12V; Vth=0.6V; 采用Trench技术

品牌

VBsemi

封装

DFN3x3-8

库存

10

货期

现货

DMN22M5UFG-13-VB参数

封装DFN3x3-8
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存10

DMN22M5UFG-13-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; DFN8(3X3); N—Channel沟道; 20V; 100A; RDS(ON)=2(mΩ)@VGS=10V; VGS=±12V; Vth=0.6V; 采用Trench技术

DMN22M5UFG-13-VB特性

暂无产品特性。

DMN22M5UFG-13-VB应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

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