DMN21D2UFB-7B
自营可供
IC
X1-DFN1006-3
DMN21D2UFB-7B
场效应管(MOSFET) 380mW 20V 760mA 1个N沟道
品牌
DIODES
封装
X1-DFN1006-3
交期
现货
批次
26+
DMN21D2UFB-7B参数
| 封装 | X1-DFN1006-3 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@1.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 27.6pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 4pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 362 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 930pC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 2.8pF |
| 类型 | N沟道 |
DMN21D2UFB-7B概述
场效应管(MOSFET) 380mW 20V 760mA 1个N沟道