DMN2065UWQ-7
自营可供
IC
SOT-323
DMN2065UWQ-7
场效应管(MOSFET) 700mW 20V 3.1A 1个N沟道
品牌
DIODES
封装
SOT-323
交期
现货
批次
两年内
DMN2065UWQ-7参数
| 封装 | SOT-323 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@1.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.56V |
| 输入电容(Ciss) | 400pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 73.8pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:20V 电流:2.8A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2,460 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.4nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 65.6pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
| 商品型号 | DMN2065UWQ-7 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 2.9e-05 |
DMN2065UWQ-7概述
场效应管(MOSFET) 700mW 20V 3.1A 1个N沟道
DMN2065UWQ-7特性
- 适用于开关电源（SMPS）的快速开关MOSFET
- 针对直流-直流（DC/DC）转换器优化的技术
- 符合JEDEC标准， 适用于目标应用
- N沟道
- 正常电平
- 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 卓越的热阻
- 100%经过雪崩测试
- 无铅镀层
- 符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
DMN2065UWQ-7应用领域
- 通用接口开关
- 电源管理功能
- 直流
- 直流转换器
- 模拟开关