DMN2053UW-HXY
IC
SOT-323
可供量大可议
DMN2053UW-HXY
这款N型场效应管, 适用于高效能应用。 其参数为:2A的电流承载能力, 20V的漏极-源极击穿电压, 49mΩ的典型内阻, 以及12V的栅极-源极阈值电压。 它能够确保在各种环境下稳定工作, 提供可靠的性能表现, 是电源管理和信号控制等应用的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-323
库存
510
货期
现货
DMN2053UW-HXY参数
| 封装 | SOT-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 510 |
DMN2053UW-HXY概述
这款N型场效应管, 适用于高效能应用。 其参数为:2A的电流承载能力, 20V的漏极-源极击穿电压, 49mΩ的典型内阻, 以及12V的栅极-源极阈值电压。 它能够确保在各种环境下稳定工作, 提供可靠的性能表现, 是电源管理和信号控制等应用的理想选择。
DMN2053UW-HXY特性
暂无产品特性。
DMN2053UW-HXY应用领域
暂无应用领域。
