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DMN2053UW-HXY
IC

SOT-323

可供量大可议

DMN2053UW-HXY

这款N型场效应管, 适用于高效能应用。 其参数为:2A的电流承载能力, 20V的漏极-源极击穿电压, 49mΩ的典型内阻, 以及12V的栅极-源极阈值电压。 它能够确保在各种环境下稳定工作, 提供可靠的性能表现, 是电源管理和信号控制等应用的理想选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-323

库存

510

货期

现货

DMN2053UW-HXY参数

封装SOT-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类场效应管(MOSFET)
库存510

DMN2053UW-HXY概述

这款N型场效应管, 适用于高效能应用。 其参数为:2A的电流承载能力, 20V的漏极-源极击穿电压, 49mΩ的典型内阻, 以及12V的栅极-源极阈值电压。 它能够确保在各种环境下稳定工作, 提供可靠的性能表现, 是电源管理和信号控制等应用的理想选择。

DMN2053UW-HXY特性

暂无产品特性。

DMN2053UW-HXY应用领域

暂无应用领域。

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