DMN2050LQ-7-HXY

该N沟道场效应管额定漏极电流4.5A， 漏源击穿电压20V， 导通电阻23mΩ， 栅源驱动电压12V。 器件需在12V栅压下完全导通以呈现低阻抗状态， 直接决定通路损耗与热性能。 此参数组合适用于台式外设电源分配、服务器板级负载开关及直流电机驱动。 在20V以内系统中， 它为需要明确高电平驱动的电路提供确定的电流控制能力， 满足相关电子设计的电气规格要求。