DMN2041UVT-13-HXY

本产品为N+N沟道增强型场效应管（MOSFET）， 采用双通道设计， 具备良好的导通特性和开关响应。 单通道漏极电流ID可达6A， 漏源击穿电压VDSS为20V， 导通电阻RDON为22mΩ， 支持并联使用以满足更高电流需求。 器件适用于高密度电源管理系统、便携式电子设备、电池供电系统及小型化DC-DC转换器等场景， 提供高效、稳定的功率控制性能。