DMN2020LSN-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
DMN2020LSN-HXY
这款N型场效应管, 适用于高效能电子系统。 其参数为:最大电流5A, 耐压20V, 内阻典型值14mΩ, 栅源极电压VGS为12V。 具备出色的导通性能和极低的功耗, 适用于电源管理、信号放大及开关电路等应用, 确保系统稳定运行。 选择此款元器件, 可提升系统效率与可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
10
货期
现货
DMN2020LSN-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
DMN2020LSN-HXY概述
这款N型场效应管, 适用于高效能电子系统。 其参数为:最大电流5A, 耐压20V, 内阻典型值14mΩ, 栅源极电压VGS为12V。 具备出色的导通性能和极低的功耗, 适用于电源管理、信号放大及开关电路等应用, 确保系统稳定运行。 选择此款元器件, 可提升系统效率与可靠性。
DMN2020LSN-HXY特性
暂无产品特性。
DMN2020LSN-HXY应用领域
暂无应用领域。
