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DMN2020LSN-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

DMN2020LSN-HXY

这款N型场效应管, 适用于高效能电子系统。 其参数为:最大电流5A, 耐压20V, 内阻典型值14mΩ, 栅源极电压VGS为12V。 具备出色的导通性能和极低的功耗, 适用于电源管理、信号放大及开关电路等应用, 确保系统稳定运行。 选择此款元器件, 可提升系统效率与可靠性。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

10

货期

现货

DMN2020LSN-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类场效应管(MOSFET)
库存10

DMN2020LSN-HXY概述

这款N型场效应管, 适用于高效能电子系统。 其参数为:最大电流5A, 耐压20V, 内阻典型值14mΩ, 栅源极电压VGS为12V。 具备出色的导通性能和极低的功耗, 适用于电源管理、信号放大及开关电路等应用, 确保系统稳定运行。 选择此款元器件, 可提升系统效率与可靠性。

DMN2020LSN-HXY特性

暂无产品特性。

DMN2020LSN-HXY应用领域

暂无应用领域。

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