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DMN2016UTS-HXY
IC

TSSOP-8

可供量大可议

DMN2016UTS-HXY

这款场效应管为N+N型。 电流为7.5A, 可承载一定程度的电流。 电压20V, 适应多种常见电压环境。 内阻典型值11.5mR, 较为适中。 VGS为10V。 它适用于各类电子设备, 可在电源管理和信号处理等方面发挥作用, 确保电路稳定运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

TSSOP-8

库存

365

货期

现货

DMN2016UTS-HXY参数

封装TSSOP-8
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存365

DMN2016UTS-HXY概述

这款场效应管为N+N型。 电流为7.5A, 可承载一定程度的电流。 电压20V, 适应多种常见电压环境。 内阻典型值11.5mR, 较为适中。 VGS为10V。 它适用于各类电子设备, 可在电源管理和信号处理等方面发挥作用, 确保电路稳定运行。

DMN2016UTS-HXY特性

暂无产品特性。

DMN2016UTS-HXY应用领域

暂无应用领域。

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