DMN2016UTS-HXY
IC
TSSOP-8
可供量大可议
DMN2016UTS-HXY
这款场效应管为N+N型。 电流为7.5A, 可承载一定程度的电流。 电压20V, 适应多种常见电压环境。 内阻典型值11.5mR, 较为适中。 VGS为10V。 它适用于各类电子设备, 可在电源管理和信号处理等方面发挥作用, 确保电路稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
TSSOP-8
库存
365
货期
现货
DMN2016UTS-HXY参数
| 封装 | TSSOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 365 |
DMN2016UTS-HXY概述
这款场效应管为N+N型。 电流为7.5A, 可承载一定程度的电流。 电压20V, 适应多种常见电压环境。 内阻典型值11.5mR, 较为适中。 VGS为10V。 它适用于各类电子设备, 可在电源管理和信号处理等方面发挥作用, 确保电路稳定运行。
DMN2016UTS-HXY特性
暂无产品特性。
DMN2016UTS-HXY应用领域
暂无应用领域。
