DMN2016UTS-13
IC
TSSOP-8
可供量大可议
DMN2016UTS-13
特性：低导通电阻。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 无铅设计/符合RoHS标准。 ESD防护高达2kV。 “绿色”器件。 符合AEC-Q101高可靠性标准
品牌
DIODES
封装
TSSOP-8
库存
1,445
货期
现货
DMN2016UTS-13参数
| 封装 | TSSOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1445 |
DMN2016UTS-13概述
特性：低导通电阻。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 无铅设计/符合RoHS标准。 ESD防护高达2kV。 “绿色”器件。 符合AEC-Q101高可靠性标准
DMN2016UTS-13特性
暂无产品特性。
DMN2016UTS-13应用领域
暂无应用领域。