DMN2016LHAB-7
IC
U-DFN2030-6-EP
可供量大可议
DMN2016LHAB-7
新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)）， 同时保持卓越的开关性能， 非常适合高效电源管理应用。
品牌
DIODES
封装
U-DFN2030-6-EP
库存
450
货期
现货
DMN2016LHAB-7参数
| 封装 | U-DFN2030-6-EP |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 450 |
DMN2016LHAB-7概述
新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)）， 同时保持卓越的开关性能， 非常适合高效电源管理应用。
DMN2016LHAB-7特性
暂无产品特性。
DMN2016LHAB-7应用领域
暂无应用领域。